삼성도 HBM 도입, 2016년 초 HBM 메모리 양산한다

삼성도 HBM 도입, 2016년 초 HBM 메모리 양산한다

- 작성자 : 세비지-

 

삼성전자가 높은 메모리 대역폭을 확보 가능한 HBM (High Bandwidth Memory)을 도입할 것이라는 소식입니다.

 

소식을 전한 computerbase에 따르면 삼성전자가 2016년 초 HBM 메모리 양산에 들어간다고 전했습니다.

 

HBM 메모리는 최근 AMD가 출시한 라데온 R9 퓨리 (Radeon R9 Fury) 시리즈에 적용된 메모리로 그래픽카드 외에도 HPC나 네트워크 등 다양한 시장에서 사용 가능합니다.

 

삼성의 HBM 메모리 양산에 따라 현재는 그래픽카드 위주로 탑재되고 있지만 더 많은 시장으로의 확대가 예상됩니다.

 

양산을 준비 중인 삼성의 HBM 메모리는 칩 용량이 8Gb부터 시작하고 2/ 4/ 8H의 3가지, 최대 용량은 48GB, 대역폭은 1.5TB/s를 지원합니다.

 

HBM 외에도 삼성은 인텔과 마이크론 협력을 통해 만들어진 3D Xpoint에 대응할 차세대 STT-MRAM/ PRAM/ Re-RAM 등도 개발이 진행 중인 것으로 알려졌습니다.

 

DDR4 후속이 될 차세대 DDR5 (가칭)도 개발되고 있습니다. DDR3 메모리를 대체할 DDR4는 1.6 ~ 3.2Gbps로 채널당 25.6GB/s의 대역폭을 제공하는데 DDR4 후속으로 예상되는 DDR5는 6.4Gbps와 51.2GB/s의 대역폭, 용량은 8 ~ 32Gb 칩 구성이 가능해집니다.

 

제조 공정도 미세화되어 10nm 이하가 예상되고 있는데 DDR4가 이제 데스크탑 메인스트림 시장에 등장한 만큼 대체 시기는 조금 더 오래 걸릴 것으로 전망됩니다.

 

삼성은 DDR4 후속 DDR5가 2018년 전후로 프로토타입이 등장하고 2019년 기술 표준, 2025년 메인스트림 제품으로 자리잡을 것으로 예상했습니다.

 

 

 

 

 

 

내용 참고 : http://www.computerbase.de/2015-08/idf-2015-samsung-fertigt-high-bandwidth-memory-ab-2016/