삼성 차세대 갤럭시 노트 6, 10nm급 공정의 6GB RAM 탑재예상

삼성 차세대 갤럭시 노트 6, 10nm급 공정의 6GB RAM 탑재예상

 

- 작성자 : 세비지-

 

삼성전자는 올해 하반기 차세대 갤럭시 노트 6 (Galaxy Note 6)을 공개할 것으로 알려진 가운데 사용될 RAM에 대한 정보가 등장했습니다.

 

소식을 전한 사이트는 삼성전자의 갤럭시 노트 6에는 10nm 공정이 적용된 6GB RAM이 탑재될 것으로 보인다고 전했습니다.

 

10nm 공정을 적용한 RAM을 이용해 저전력을 구현 가능할 것으로 보여 갤럭시 노트 6은 향상된 성능과 전력 소모에서도 유리할 것으로 예상됩니다.

 

최근 안드로이드 (Android) 스마트폰은 RAM 요구량이 높아지고 있으며 그에 따라 Vivo Xplay 5와 같은 스마트폰에서는 기존 스마트폰보다 대용량인 6GB RAM을 장착한 바 있습니다.

 

삼성도 이러한 시장의 요구와 하드웨어 스펙 향사에 따라 6GB RAM을 탑재할 계획으로 보이며 자사가 개발하고 양산하는 10nm급 메모리 칩을 적용해 전반적인 효율을 향상할 것으로 전망됩니다.

 

삼성전자는 중국에서 열린 모바일 솔루션 포럼을 통해 10nm급 6GB LPDDR4 메모리 칩을 선보였습니다. 이전에 삼성은 20nm 공정으로 제조된 6GB 메모리 칩도 공개한 바 있지만 아직까지 해당 메모리 칩을 이용한 스마트폰은 등장하지 않았는데 갤럭시 노트 6이 10nm급 6GB RAM을 이용한 제품이 될 것으로 예상됩니다.

 

한편 삼성이 올해 하반기 공개할 갤럭시 노트 6은 5.8인치 AMOLED 스크린과 퀄컴 (Qualcomm)의 스냅드래곤 823 (Snapdragon 823) SoC, USB Type-C 인터페이스 등을 이용합니다.

 

 

 

내용 참고 : http://www.expreview.com/47296.html