엔비디아 파스칼, TSMC 16nm FinFET 이용하며 플래그십은 16GB HBM2 탑재 예상

엔비디아 파스칼, TSMC 16nm FinFET 이용 플래그십은 16GB HBM2 탑재 예상

- 작성자 : 세비지-

 

엔비디아 (NVIDIA) 파스칼 (Pascal)이 삼성의 14nm FinFET이 아닌 TSMC의 16nm FinFET 공정을 이용할 것이라는 소식입니다.

 

소식을 전한 사이트에 따르면 엔비디아 차세대 파스칼 GPU는 최신 공정을 도입할 예정이며 삼성 또는 TSMC의 제조 공정을 이용할 것으로 알려졌는데 삼성전자보다는 TSMC의 공정을 이용할 것으로 결정되었다고 전했습니다.

 

 

파스칼은 엔비디아의 최신 그래픽 아키텍처를 기반으로 2016년 출시가 예상된 GPU로 AMD가 라데온 R9 퓨리 (Fury) 시리즈를 통해 선보인 HBM의 2세대 버전인 HBM2를 비롯하여 고속의 데이터 전송이 가능한 NVLINK와 같은 기술도 제공할 예정입니다. 플래그십은 HBM2 16GB 탑재가 예상되며 최대 1TB/s의 대역폭을 제공할 것으로 알려졌습니다.

 

제조 공정에 대해서는 여러 의견이 분분했지만 삼성보다는 TSMC를 선택할 가능성이 높았습니다. 이유는 삼성은 글로벌파운드리 (Globalfoundries)와 연합해 14nm FinFET 공정을 빠르게 도입하고 모바일 칩에 적용해 생산하고 있지만 고성능 GPU 생산 경험은 아직 없기 때문입니다.

 

일부는 삼성과 TSMC 두 곳을 이용하는 방법을 예상하기도 했지만 이도 쉽지 않은 부분입니다. 어느 한쪽에서 수율이 뒷받침되지 않는다면 이도 큰 의미는 없어 보입니다.

 

반면 TSMC는 그동안 AMD와 엔비디아 고성능 GPU부터 보급형 GPU까지 두루 생산한 경험이 풍부하므로 엔비디아의 TSMC 선택은 어찌보면 당연한 수순이라고도 볼 수 있습니다. 삼성전자가 맡게 되었다면 새로운 시도와 발전 가능성이 예상되지만 시행착오가 필요해 원하는 시기에는 파스칼 GPU를 공급할 수 있을지는 확신하기 어려워 보입니다. 그만큼 고성능 GPU 생산과 수율을 맞추는 것은 쉽지 않기 때문입니다.

 

TSMC는 비록 미세공정 도입이 조금 더디게 진행되었지만 16nm FinFET+ (16nm FinFET Plus) 공정을 이용할 경우 28HPM 대비 70% 이상 더 적은 전력을 소모하며 2배의 용량, 65% 이상의 성능을 향상 가능할 것으로 알려졌습니다.

 

16nm FinFET+ 공정은 20nm SoC 기술 대비 40% 이상의 속도 향상, 60% 정도의 전력을 절약 가능합니다. 더군다나 같은 메탈 백엔드 공정을 이용 가능해 빠른 수율 향상과 성숙도를 기대할 수 있어 시장의 도입 시기도 그만큼 앞당겨질 수 있게 됩니다.

 

TSMC는 16nm FinFET을 이용 엔비디아 파스칼 GP100을 지난 달 테입아웃 진행한 것으로 알려진 바 있습니다. 빠르면 2016년 2분기 출시 가능성도 있지만 아직은 확신하기 어려워 보입니다.

 

 

 

 

 

 

 

 

파스칼은 엔비디아가 일본서 진행하는 엔비디아 GTC 컨퍼런스를 통해 일부 자료가 공개되었습니다.

 

17억개 (17B)의 트랜지스터, 최대 16GB HBM2, 1TB/s의 대역폭, 차세대 쿠다 (CUDA) 아키텍처, GP100 GPU 등이 알려졌고 FP16/ 32/ 64 연산 모두 지원, GPU와 GPU, GPU와 CPU 사이의 고속 및 고대역 인터페이스 NVLINK, 16nm FinFET 공정으로 전력 효율 개선과 성능 향상이 예상됩니다.

 

 

내용 참고 : http://wccftech.com/nvidia-pascal-gpu-manufactured-tsmc-16nm-ff-node-flagship-single-chip-card-feature-16-gb-hbm2-vram/