삼성전자, 3세대 10nm LPU 공정 공개, 미국 SoC 생산라인 확장도 계획

삼성전자, 3세대 10nm LPU 공정 공개, 미국 SoC 생산라인 확장도 계획

 

- 작성자 : 세비지 -

 

삼성전자가 3세대 10나노미터 (10nm, 나노미터는 10억분의 1미터) 공정 공개와 함께 미국 생산라인 확장도 진행할 것으로 알려졌습니다.

 

삼성전자는 삼성 파운드리 포럼을 열고 업데이트된 반도체 미세공정을 발표했습니다. 발표가 이루어진 공정은 14nm 4세대 공정인 14nm LPU (Low Power Ultimate)와 10nm 3세대 공정인 10nm LPU 기술로 모바일과 서버, 자동차용 반도체 등 고성능, 저전력 분야에 활용됩니다.

 

14nm LPU 공정은 3세대 LPC (Low Power Compact) 공정과 같은 전력에 더 좋은 성능을 제공하며 10nm LPU는 LPE (Low Power Early)와 LPP (Low Power Performance)와 같은 성능을 유지하면서도 면적을 줄여 활용 범위가 확대될 것으로 알려졌습니다.  14nm LPU와 10nm LPU 공정 설계 디자인 툴 라이브러리는 2017년 2분기 출시 예정입니다.

 

7nm 공정 도입 전까지 10nm LPU 공정이 비용 대비 효율이 가장 우수한 공정이 될 것으로 예상돼 14nm FinFET 공정과 함께 7nm 공정 전까지 시장에서 오랫동안 사용될 것으로 전망했습니다.

 

삼성전자는 7nm EUV 웨이퍼와 EUV 공정 개발 현황도 소개해 인텔이나 TSMC 등 7nm 공정을 개발하는 반도체 제조사와의 경쟁도 예고했습니다. 7nm 공정은 미세공정 패터닝 기술의 한계로 극자외선 (EUV) 노광장비 기술이 도입될 것으로 알려져 양산까지는 더 많은 시간이 필요할 것으로 알려졌습니다. 인텔 역시 14nm FinFET 공정에서 10nm 공정이나 7nm 공정 이전이 연기되고 있어 미세공정 도입이 그만큼 어려워지고 천문학적인 비용이 소요되고 있습니다.

 

또한 삼성전자는 증가하는 수요를 대비해 미국 테사스 오스틴에 위치한 SoC 생산 라인에 10억 달러를 투자해 생산량을 늘려나갈 것으로 알려졌습니다.

 

 

 

내용 참고 : 

https://news.samsung.com/global/samsung-expands-its-advanced-foundry-offerings-with-14lpu-and-10lpu-processes

http://www.expreview.com/50435.html