삼성전자, 2세대 14nm FinFET LPP 양산 들어가
삼성전자, 2세대 14nm FinFET LPP 양산 들어가
- 작성자 : 세비지-
삼성전자가 2세대 14nm FinFET 공정 기반의 진보된 칩 양산을 시작했다는 소식입니다.
삼성전자는 14nm FinFET 공정을 2015년 1분기 엑시노스 7 Octa (Exynos 7 Octa) 프로세서에 적용해 생산을 시작했으며 처음 적용한 이 공정은 14nm FinFET LPE (Low-Power Early)로 알려졌습니다.
이번에 양산에 들어가는 공정은 14nm FinFET LPP (Low-Power Plus)로 2세대 14nm FinFET으로 불리며 삼성전자가 공개한 차세대 엑시노스 8 Octa (Exynos 8 Octa)를 비롯하여 퀄컴 (Qualcomm)의 차세대 모바일 AP (Mobile AP) 스냅드래곤 820 (Snapdragon 820) SoC 양산에도 사용됩니다. 스냅드래곤 820은 올해 상반기 내로 각 스마트폰 제조사의 차세대 스마트폰에 탑재해 공개될 예정입니다.
2세대 14nm FinFET LPP 공정은 기존 공정처럼 3D (Three-Dimensional) FinFET 구조를 이용하며 이전 세대 공정 대비 최대 15%의 속도 및 전력 소비를 절감할 수 있을 것으로 알려졌습니다.
새로운 14nm FinFET 공정에 대해 삼성전자는 FinFET 트랜지스터 최적화를 바탕으로 스케일링 제약을 극복하고 제조 능력 향상할 것으로 알려졌으며 네트웍부터 자동차용에 이르기까지 수많은 애플리케이션에 적용할 예정입니다.
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