TSMC 이번 분기 10nm 개발 마무리, 2016년 봄 시험 생산 예정

TSMC 이번 분기 10nm 개발 마무리, 2016년 봄 시험 생산 예정

 

- 작성자 : 세비지-

 

TSMC는 16nm FinFET 공정을 이용한 생산을 시작했고 다음 세대 기술은 10nm도 개발을 진행하고 있는 것으로 알려졌습니다.

 

비록 삼성의 14nm FinFET 공정보다 시장 진입이 늦어지긴 했지만 나름의 경쟁력을 갖추고 시장에서 경쟁 중입니다.

 

그런 가운데 TSMC는 10nm 공정 개발 및 생산 일정에 대해 전했습니다. 우선 10nm 공정 개발 마무리 시점을 이번 분기로 보았습니다. 생산에 대해서는 2016년 봄 즈음하여 시험 생산에 들어갈 수 있을 것으로 예상했습니다.

 

미세공정의 도입은 일반적으로 더 높은 집적도로 더 많은 칩 생산과 전력 및 비용 효율이 증가합니다.

 

TSMC가 개발 중인 10nm 공정은 16nm FinFET+ 대비 트랜지스터 밀도는 110% 늘어난 250억개의 트랜지스터가 집적된 칩 생산이 가능할 것으로 예상했습니다.

 

10nm 공정은 소비전력 대비 성능은 20% 향상, 같은 성능일 때 전력 소비는 40%가 줄어들 것으로 알려졌습니다.

 

현재 10nm 공정은 TSMC 외에도 인텔과 삼성전자 역시 개발 중이지만 이는 쉽지 않습니다.

 

인텔은 2017년 양산이 어려울 것으로 언급되고 있고 삼성전자 역시 2016년 말이나 2017년 초 양산을 시작할 것으로 보고 있습니다.

 

TSMC와 삼성은 올해 초 10nm 공정 기반 웨이퍼를 공개한 바 있지만 14/ 16nm FinFET이 1년 이상 시장을 이끌 것으로 보고 있으며 이들이 공개한 시기에 맞춰 등장한다면 인텔의 10nm 공정 도입보다 시기가 앞설 것으로 전망됩니다.

 

 

 

 

내용 참고 : http://www.expreview.com/43779.html