퀄컴 스냅드래곤 830은 10nm FinFET 공정 제조, 양산은 2016년 하반기 예상

퀄컴 스냅드래곤 830은 10nm FinFET 공정 제조, 양산은 2016년 하반기 예상

 

- 작성자 : 세비지-

 

퀄컴 (Qualcomm)의 차세대 스냅드래곤 830 (Snapdragon 830)이 기존보다 미세한 공정을 이용할 것이라는 소식입니다.

 

소식을 전한 사이트는 퀄컴 스냅드래곤 820 (Snapdragon 820)의 후속 SoC인 스냅드래곤 830은 10nm 공정을 이용할 것으로 보인다고 전했습니다.

 

스냅드래곤 830의 넘버는 MSM8998으로 예상됩니다. 기존 스냅드래곤 808은 MSM8992, 810은 MSM8994, 820은 MSM8996으로 모델넘버 끝자리가 2씩 증가하고 있으니 MSM8998이 순서상 이상하지 않습니다.

 

스냅드래곤 830은 퀄컴의 독자 설계 아키텍처, 스냅드래곤 820에 들어간 Kyro의 업그레이드 버전이 될 것으로 예상했습니다.

 

제조 공정은 10nm, 삼성의 10nm LPE를 이용할 것으로 예상되며 스냅드래곤 820은 삼성 14nm LPP 제조 공정이 적용 예정입니다.

 

삼성전자는 2달 또는 3달 전 10nm FinFET 기술을 로드맵에 등장시켰지만 스냅드래곤 830의 양산은 아직 멀어 보이며 빠르면 2016년 하반기 양산이 이루어질 것으로 예상했습니다.

 

 

 

 

내용 참고 : http://news.mydrivers.com/1/451/451393.htm