삼성 차세대 갤럭시 S8, 스냅드래곤 835와 8GB RAM 및 UFS 2.1 스토리지 탑재?

삼성 차세대 갤럭시 S8, 스냅드래곤 835와 8GB RAM 및 UFS 2.1 스토리지 탑재?

- 작성자 : 세비지 -

 

삼성전자가 새로 출시할 것으로 알려진 갤럭시 S8 (Galaxy S8)의 지원에 대한 소식입니다.

 

소식에 따르면 갤럭시 S8 시리즈는 갤럭시 S8과 갤럭시 S8 플러스 (Galaxy S8 Plus)의 2종이 등장할 예정이며 10nm 공정의 새로운 프로세서, 2배로 늘어난 RAM, 빠른 스토리지를 제공할 것으로 예상된다고 전했습니다.

 

갤럭시 S8의 지원 스펙 정보를 보면 우선 기존 대비 증가한 8GB RAM을 탑재하며 제조 공정은 10nm가 될 것으로 예상했다. 스토리지용 장치는 UFS 2.1 지원 스토리지를 탑재할 것으로 내다봤습니다. 이전 루머에 6GB RAM과 최대 256GB 스토리지 탑재가 알려진 바 있고 일부 루머는 8GB RAM 탑재를 언급하기도 했습니다.

프로세서는 퀄컴 (Qualcomm)이 공개한 10nm 공정 기반 스냅드래곤 835 (Snapdragon 835)의 탑재도 예상했고 기존처럼 엑시노스 8895 (Exynos 8895) 프로세서도 이용할 것으로 전망했습니다.

스크린은 갤럭시 S8이 5.1인치 커브드 디스플레이, 갤럭시 S8 플러스는 6인치 커브드 디스플레이를 이용하며 갤럭시 S8은 싱글 카메라, 갤럭시 S8 플러스는 듀얼 카메라, 애플 (Apple)의 시리 (Siri)와 구글 (Google)의 어시스턴스 (Assistant)와 같은 AI 디지털 어시스턴스 기술도 이용할 것으로 예상했습니다.

 

운영체제는 구글 안드로이드 7.0 (Android 7.0) 누가 (Nougat)와 삼성의 UI가 사용될 것으로 전망했습니다.

 

한편 삼성전자의 차세대 스마트폰 갤럭시 S8은 2017년 2월 MWC 2017에서 공개할 것으로 전해진 바 있으나 이보다 연기된 4월 공개될 것으로 알려졌습니다.

내용 참고 : https://www.mysmartprice.com/gear/2016/12/25/samsung-galaxy-s8-8gb-ram-ufs-2-1-storage/