읽기 속도 최대 3200MB/s, 삼성 Z-NAND 기반 M.2 Z-SSD 공개
읽기 속도 최대 3200MB/s, 삼성 Z-NAND 기반 M.2 Z-SSD 공개
- 작성자 : 세비지 -
삼성전자는 차세대 저장장치 기술인 Z-NAND 기반의 PCIe SSD를 공개한 바 있는데 이번에는 M.2 폼팩터 기반의 Z-SSD를 공개했습니다.
Z-NAND 기술은 MLC 낸드 제품 전체 용량을 SLC와 같이 사용하도록 만들어 성능과 내구성을 향상하는 기술로 3D NAND (V-NAND)의 64 레이어 아키텍처 등이 사용되며 이를 통해 기존 NAND 플래시 내장 SSD 대비 레이턴시 (지연 시간)와 응답 시간이 줄고 데이터 이동 속도는 크게 향상될 것으로 알려졌습니다.
3D V-NAND 보다 최대 10배 높은 셀 읽기 성능을 제공하며 낸드와 DRAM 사이의 가교 역할로 낸드보다 더 빠른 성능과 높은 저장용량 등을 구현할 것으로 예상되며 차세대 메모리 기술 기반 SSD 중 인텔 3D XPoint 기반 옵테인 (Optane)과 함께 기대를 모으고 있습니다.
아난텍 (Anandtech)에 따르면 삼성이 공개한 M.2 Z-SSD는 M.2 22110 (110mm) 폼팩터로 제작되고 PCI-Express Gen 3.0 x4 인터페이스와 NVMe 프로토콜을 지원하며 워크스테이션과 HPCs, 인공지능 (AI) 서버 등의 시장을 타겟으로 합니다.
8채널 컨트롤러를 이용하며 저장 용량은 240GB와 480GB의 2가지, 순차 읽기 속도는 최대 3200MB/s, 순차 쓰기 속도는 최대 2800MB/s, 30 DWPD 내구성, 전원 손실 프로텍션 등을 제공합니다.
한편 삼성전자가 공개한 M.2 Z-SSD는 출시일이나 가격 등의 정보는 아직 공개되지 않았습니다.
내용 참고 :
http://blueframe.co.kr/bbs/board.php?bo_table=news01&wr_id=3255
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